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8N10 SOT223-3L 100V/8A 国产低压MOS
8N10 SOT223-3L 100V/8A 国产低压MOS
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:8N10
产品封装:SOT223-3L
产品标题:常用场效应管 NMOS管 8N10 SOT223-3L 100V/8A 国产低压MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


常用场效应管 NMOS管 8N10 SOT223-3L 100V/8A 国产低压MOS



国产低压MOS 8N10的引脚图:

image.png



国产低压MOS 8N10的应用领域:

  • 锂电保护

  • 负载开关

  • UPS 不间断电源



国产低压MOS 8N10的极限参数:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压100
V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TC=25℃)8A
漏极电流-连续(TC=100℃)6.5
IDM漏极电流-脉冲24
PD总耗散功率(TC=25℃)30W
总耗散功率(TA=25℃)2.7
EAS单脉冲雪崩能量100mJ
IAS雪崩电流40A
RθJA
结到环境的热阻100℃/W
RθJC结到管壳的热阻5.1
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



国产低压MOS 8N10的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压100107
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=5A


88110
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=3A


96140
VGS(th)
栅极开启电压11.52.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
12
nC
Qgs栅源电荷密度

2.2
Qgd栅漏电荷密度
2.5
Ciss输入电容
765
pF
Coss输出电容
38
Crss反向传输电容
33
td(on)开启延迟时间
7
ns
tr开启上升时间

5


td(off)关断延迟时间
16
tf
开启下降时间
6


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