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100N10 TO-252 马达用场效应管
100N10 TO-252 马达用场效应管
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:100N10
产品封装:TO-252
产品标题:100V场效应管 100N10 TO-252 马达用MOS管 8mΩ 低内阻MOS
咨询热线:0769-89027776

产品详情


100V场效应管 100N10 TO-252 马达用MOS管 8mΩ 低内阻MOS



100V场效应管 100N10的特点:

  • VDS=100V

  • ID=100A

  • RDS(ON)<8mΩ@VGS=10V(Type:6mΩ)

  • 封装:TO-252



100V场效应管 100N10的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号参数数值单位
VDS漏极-源极电压100
V
VGS栅极-源极电压±20
ID漏极电流-连续(TA=25℃)100A
IDM漏极电流-脉冲210
PD总耗散功率100W
EAS单脉冲雪崩能量100mJ
IAS雪崩电流40A
RθJA
结到环境的热阻62℃/W
RθJC结到管壳的热阻1.25
TSTG存储温度-55~150
TJ工作结温-55~150



100V场效应管 100N10的电特性:

(如无特殊说明,TC=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压100108
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=13.5A


68
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=11.5A


8.710.5
VGS(th)
栅极开启电压1.21.82.3V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
45
nC
Qgs栅源电荷密度

9.5
Qgd栅漏电荷密度
4.8
Ciss输入电容
3320
pF
Coss输出电容
605
Crss反向传输电容
20
td(on)开启延迟时间
10
ns
tr开启上升时间

6.5


td(off)关断延迟时间
45
tf
开启下降时间
7.5


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