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30V/180A 低压NMOSFET 180N03 TO-252
30V/180A 低压NMOSFET 180N03 TO-252
产品品牌:宇芯微
产品类型:中低压MOS管
产品型号:180N03
产品封装:TO-252
产品标题:宇芯微 30V/180A 低压NMOSFET 180N03 TO-252 贴片场效应管
咨询热线:0769-89027776

产品详情


宇芯微 30V/180A 低压NMOSFET 180N03 TO-252 贴片场效应管



低压NMOSFET 180N03的产品应用:

  • 锂电保护

  • 负载开关

  • 不间断电源



低压NMOSFET 180N03的极限值:

(如无特殊说明,TC=25℃)

  • 漏极-源极电压 VDS:30V

  • 栅极-源极电压 VGS:±20V

  • 漏极电流-连续 ID:180A

  • 漏极电流-脉冲 IDM:500A

  • 总耗散功率 PD:187W

  • 存储温度 TSTG:-55~+175℃

  • 工作结温 TJ:-55~+175℃

  • 结到管壳的热阻 RθJC:0.8℃/W

  • 结到环境的热阻 RθJA:62℃/W



低压NMOSFET 180N03的电特性:

(如无特殊说明,TJ=25℃)

符号
参数MIN值TYP值MAX值单位
BVDSS漏极-源极击穿电压3038
V
RDS(ON)静态漏源导通电阻

VGS=10V,ID=30A


2.13.2
静态漏源导通电阻

VGS=4.5V,ID=15A


33.8
VGS(th)
栅极开启电压1.21.62.5V
IGSS栅极漏电流

±100nA
Qg栅极电荷
56.9
nC
Qgs栅源电荷密度

13.8
Qgd栅漏电荷密度
23.5
Ciss输入电容
5850
pF
Coss输出电容
720
Crss反向传输电容
525
td(on)开启延迟时间
20.1
ns
tr开启上升时间

6.3


td(off)关断延迟时间
124.6
tf
开启下降时间
15.8


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